Fabricante: Fairchild
Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
- IC: 600 mA max.
- PD: 625 mW max.
- VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, max.
- fT: 300 MHz mínimo
- Encapsulado: TO-92
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