Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF9630PBF es un MOSFET de potencia de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dV / dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Requisitos sencillos de manejo
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal P
- Voltaje de drenaje a fuente VDS-200 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20
- Corriente continua de drenaje ID: -6.5 A
- Resistencia entre drenaje y fuente: 800 mOhms
- Disipación de energía Pd: 74 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO220
- Número de pines: 3
No hay reseñas todavia