Transistor IRF730 Mosfet TO220 CH N 400 V 5.5 A COD:6AG

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF730PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.

• Evaluación dinámica dv / dt
• Avalancha repetitiva
  
• 150 ° C Temperatura de funcionamiento
  
• Fácil de paralelo
  
• Requisito de unidad simple
• Aplicaciones: Administración de potencia

• Polaridad del transistor: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 5.5 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
• Resistencia de activación Rds(on): 1 ohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 74 W
• Temperatura de operación mínima: -55°C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines