Descripción
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad pnp, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en el encapsulado de tipo TO-18 y TO-92.
Principales características
- Voltaje colector emisor en corte -60 V (Vceo)
- Corriente de colector constante -600m A (Ic)
- Potencia total disipada -400mW (Pd)
- Ganancia mínima o hfe de 100 (hfe)
- Frecuencia de trabajo típica 200 Mhz (Ft)
- Encapsulado de metal TO-18
- Estructura PNP
- Su complementario NPN es el Transistor 2N2222
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