2n5551 2n 5551 2n-5551 Transistor Npn 160 V 0.6 A COD:4BR

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Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
  • IC: 600 mA max.
  • PD: 625 mW max.
  • VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
  • hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
  • fT: 100 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementarios: 2N5400, 2N5401

 


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SKU: 2n5551 Categoría: Etiqueta:
Peso 0,1 g
Dimensiones 2 × 2 × 2 cm

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