Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF740PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
- Baja resistencia térmica
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dinámica dv / dt
- Cambio rápido
- Totalmente avalancha nominal
- Facilidad de paralelismo
- Requisito de manejo simple
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Intensidad drenador continua Id: 10 A
- Resistencia de activación Rds(on): 550 mohm
- Disipación de potencia Pd: 125 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado TO-220
- 3 pines
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