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Transistor Mosfet Canal N Irf520 10a 100v Rdson=0.27ohm COD:6AZ

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Descripción

Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria. 

El IRF520 es un MOSFET de potencia de canal N de 100 V que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

  • Avalancha repetitiva calificada
  • Cambio rápido
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos sencillos de manejo
  • ± 20V Puerta a voltaje de fuente
  • 2.5 ° C / W Resistencia térmica, unión a la caja
  • 62 ° C / W Resistencia térmica, unión a ambiente
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 9.2 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 270 mohm
  • Disipación de potencia Pd: 60 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2382 IRF510
SKU: irf520 Categorías: , Etiqueta:
Peso 0.1 g
Dimensiones 2 × 2 × 2 cm

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Preguntas de los clientes de Mercado Libre (1)

  1. PREGUNTA Hola qué marca son? Son como el de la foto? Saludos y gracias
    RESPUESTA Son como los de la foto
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