Transistor Irf640 Mosfet Canal N 18a 200v 125w To-220 COD:6BS

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.

• Baja resistencia térmica
• Tecnología de proceso avanzada
• Clasificación dinámica dv / dt
• Cambio rápido
• Totalmente avalancha nominal
• Facilidad de paralelismo
• Requisito de manejo simple
• Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

• Polaridad de transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
• Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
• Corriente de avalancha IAR: 18 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
• Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 175 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3